标准列表（部分）
《 GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 》标准简介
- 标准名称：碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
- 标准号：GB/T 42902-2023
- 中国标准分类号：H21
- 发布日期：2023-08-06
- 国际标准分类号：77.040
- 实施日期：2024-03-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：冶金金属材料试验
- 内容简介：
国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片 》标准简介
- 标准名称：高压MOSFET用200 mm硅外延片
- 标准号：T/ZZB 2833-2022
- 中国标准分类号：H82/C398
- 发布日期：2022-12-08
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2022-12-31
- 团体名称：浙江省品牌建设联合会
- 标准分类：电子元件及电子专用材料制造
- 内容简介：
本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200mm、外延层厚度为40μm～80μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）。
《 GB/T 14139-2009 硅外延片 》标准简介
- 标准名称：硅外延片
- 标准号：GB/T 14139-2009
- 中国标准分类号：H80
- 发布日期：2009-10-30
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2010-06-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：GB/T14139-1993被GB/T 14139-2019代替
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
- 内容简介：
国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 GB/T 14139-1993 硅外延片 》标准简介
- 标准名称：硅外延片
- 标准号：GB/T 14139-1993
- 中国标准分类号：H81
- 发布日期：1993-02-06
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1993-10-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：被GB/T 14139-2009代替
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：
- 内容简介：
国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 》标准简介
- 标准名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
- 标准号：T/IAWBS 002-2017
- 中国标准分类号：/C398
- 发布日期：2017-12-20
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2017-12-31
- 团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
- 标准分类：电子元件及电子专用材料制造
- 内容简介：
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。
《 SJ 1549-1979 硅外延片(暂行) 》标准简介
- 标准名称：硅外延片(暂行)
- 标准号：SJ 1549-1979
- 中国标准分类号：H8<brL90
- 发布日期：1980-03-01
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1980-06-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：第四机械工业部
- 标准分类：电子技术专用材料电子元器件与信息技术电子设备专用材料零件结构件
- 内容简介：
《 SJ 1550-1979 硅外延片检测方法 》标准简介
- 标准名称：硅外延片检测方法
- 标准号：SJ 1550-1979
- 中国标准分类号：H81
- 发布日期：1980-03-01
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1980-06-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：第四机械工业部
- 标准分类：冶金半金属与半导体材料半金属
- 内容简介：
本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的检测方法。其检测项目有外延层电阻率、外延层厚度、层错密度、位错密度、夹层和表面缺陷等
《 SJ/Z 1610-1980 硅外延片缺陷图集 》标准简介
- 标准名称：硅外延片缺陷图集
- 标准号：SJ/Z 1610-1980
- 中国标准分类号：H8<brL90
- 发布日期：1980-05-27
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1980-05-27
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：
- 标准分类：电子技术专用材料电子元器件与信息技术电子设备专用材料零件结构件
- 内容简介：
《 SJ 20514-1995 微波功率晶体管用硅外延片规范 》标准简介
- 标准名称：微波功率晶体管用硅外延片规范
- 标准号：SJ 20514-1995
- 中国标准分类号：J01
- 发布日期：1995-05-25
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1995-12-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：
- 标准分类：机械技术管理机械综合
- 内容简介：
《 GB/T 14139-2019 硅外延片 》标准简介
- 标准名称：硅外延片
- 标准号：GB/T 14139-2019
- 中国标准分类号：H82
- 发布日期：2019-06-04
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2020-05-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：GB/T14139-2009
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
- 内容简介：
国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 GB/T 35310-2017 200mm硅外延片 》标准简介
- 标准名称：200mm硅外延片
- 标准号：GB/T 35310-2017
- 中国标准分类号：H82
- 发布日期：2017-12-29
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2018-07-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
- 内容简介：
国家标准《200mm硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
检测流程
检测优势
1、单位面向科研院所、学校和社会企业及科研单位，面向社会公共服务。
2、实验管理中心下设检测分析中心、科研测试中心、X射线应用中心。
3、面向物理、化学化工、材料、纳米、环境、电子、能源等众多学科。
4、拥有多台精密检测仪器设备。
5、能够从事材料微观结构分析、定性和定量分析、材料性能测定、材料质量综合评定等工作。
6、提供24小时开放服务、网络化的管理。
7、具备向校内外科学研究和品质鉴定提供公正、科研测试数据能力的重要机构。
检测实验室
相关服务
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