标准列表（部分）
《 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 》标准简介
- 标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
- 标准号：GB/T 6616-1995
- 中国标准分类号：H21
- 发布日期：1995-04-18
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1995-12-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：被GB/T 6616-2009代替
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：
- 内容简介：
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 》标准简介
- 标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 标准号：GB/T 14141-1993
- 中国标准分类号：H21
- 发布日期：1993-02-06
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1993-10-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：被GB/T 14141-2009代替
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：
- 内容简介：
国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 SJ 20515-1995 金电镀层薄层电阻测试方法 》标准简介
- 标准名称：金电镀层薄层电阻测试方法
- 标准号：SJ 20515-1995
- 中国标准分类号：J01
- 发布日期：1995-05-25
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1995-12-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：
- 标准分类：机械技术管理机械综合
- 内容简介：
《 GB/T 37152-2018 纳米技术 碳纳米管材料 薄层电阻 》标准简介
- 标准名称：纳米技术 碳纳米管材料 薄层电阻
- 标准号：GB/T 37152-2018
- 中国标准分类号：G13
- 发布日期：2018-12-28
- 国际标准分类号：59.100.20
- 实施日期：2018-12-28
- 技术归口：全国纳米技术标准化技术委员会
- 代替标准：
- 主管部门：中国科学院
- 标准分类：纺织和皮革技术复合增强材料碳纤维材料
- 内容简介：
国家标准《纳米技术 碳纳米管材料 薄层电阻》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为中国科学院。
《 GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 》标准简介
- 标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 标准号：GB/T 14141-2009
- 中国标准分类号：H80
- 发布日期：2009-10-30
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2010-06-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：GB/T14141-1993
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
- 内容简介：
国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
《 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 》标准简介
- 标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- 标准号：GB/T 6616-2009
- 中国标准分类号：H80
- 发布日期：2009-10-30
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2010-06-01
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 代替标准：GB/T6616-1995
- 主管部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
- 内容简介：
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
旗下实验室资质
我司旗下实验室具备CMA资质认定及CNAS认可和ISO认证等证书，具体项目是否在资质认定/实验室认可范围内请与工程师确认。
相关检测内容
- 无相关信息