北检（北京）检测技术研究院

行业标准《氮化硅材料相含量分析方法》由全国工业陶瓷标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。

国家标准《光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法》由610（中国有色金属工业协会）归口上报及执行，主管部门为中国有色金属工业协会。

半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。

本文件规定了硅材料工业企业能源管理的组织与人员、方针、规划与目标、能源管理要求、能源统计、能源消耗分析及节能技术。本文件适用于乐山市行政区域范围内工业硅、单晶硅和多晶硅等硅材料工业企业的能源管理。

国家标准《硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

行业标准《硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法》，主管部门为工业和信息化部。

国家标准《硅材料原生缺陷图谱》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。