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GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

《GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×10ˇ13 cmˇ-3、铝含量不小于5×10ˇ13 cmˇ-3、氮含量不小于5×10ˇ15 cmˇ-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

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发布时间:2023-01-03 04:46:44 浏览量:8 所属栏目:检测标准

标准简介(部分)

标准编号:GB/T 41153-2021

标准名称:碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

英文名称:Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会

起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司

标准状态:现行

发布日期:2021-12-31

实施日期:2022-07-01

标准格式:PDF

内容简介(部分)

本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。
本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×10ˇ13 cmˇ-3、铝含量不小于5×10ˇ13 cmˇ-3、氮含量不小于5×10ˇ15 cmˇ-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

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