北检（北京）检测技术研究院

国家标准《再生锗原料》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了再生锗原料的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容等。 本文件适用于从锗的生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的再生锗原料。 注： 再生锗原料主要作为生产高纯四氯化锗、高纯二氧化锗、区熔锗锭、锗单晶等产品的原料。

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。

国家标准《锗酸铋(BGO)晶体 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

适用范围:本规程适用于检定数据差错分析仪(简称“分析仪”)的技术性能,其测试信号不带起止符,以19200比特/秒以下的内时钟或2兆比/秒以下的外时种同步工作。也适用于检定国标GB7627-87所规定的数据失真和差错分析仪的性能。

国家标准《钨矿石、钼矿石化学分析方法 第24部分：锗含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由TC93（全国自然资源与国土空间规划标准化技术委员会）归口，主管部门为自然资源部(国土)。

本文件规定了电感耦合等离子体质谱法测定钨矿石、钼矿石中锗含量的方法。 本文件适用于钨矿石、钼矿石中锗含量的电感耦合等离子体质谱法测定。 本文件锗含量检测方法检出限为0.063 μg/g，测定范围为0.2 μg/g～300 μg/g。

国家标准《多晶硅和锗单位产品能源消耗限额》由469（国家标准化管理委员会）归口，委托TC20（全国能源基础与管理标准化技术委员会）执行。

本文件规定了多晶硅和锗单位产品能源消耗(以下简称能耗)的限额等级、技术要求、统计范围和计算方法。本文件适用于以高纯氢气还原三氯氢硅生产光伏用多晶硅(以下简称“多晶硅”)的企业，以锗精矿、再生锗原料为原料生产高纯四氯化锗、高纯二氧化锗、区熔锗锭、锗单晶的企业进行能耗的计算、考核，以及对新建、改建和扩建项目的能耗控制。本文件不适用于电子级多晶硅及硅烷流化床法生产多晶硅的企业的能耗计算。

国家标准《金属锗化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。

地方标准《电子工业用锗烷气体中杂质含量的测定 气相色谱法》由福建省化学工业气体标准化技术委员会归口上报，主管部门为福建省质量技术监督局。

行业标准《粗锌化学分析方法 第9部分：锗含量的测定 苯芴酮分光光度法》，主管部门为工业和信息化部。本部分适用于粗锌中锗含量的测定。测定范围：0.0010%～0.50%。

行业标准《粗锌化学分析方法 第11部分：铅、铁、镉、铜、锡、铝、砷、锑、锗和铟含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法》，主管部门为工业和信息化部。本部分适用于粗锌中铅、铁、镉、铜、锡、铝、砷、锑、锗和铟含量的测定。