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GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

《GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

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发布时间:2023-01-04 05:52:43 浏览量:14 所属栏目:检测标准

标准简介(部分)

标准编号:GB/T 41033-2021

标准名称:CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

英文名称:Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会

起草单位:中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所

标准状态:现行

发布日期:2021-12-31

实施日期:2022-07-01

标准格式:PDF

内容简介(部分)

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。
本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

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