场效检测

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据

本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiCMOSFET分立器件的功率循环试验

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法会由于SiCMOSFET器件的阈值电压V_GS(th)漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的功率循环试验方法。

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

本文件仅适用于SiCMOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiCMOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。

行业标准《半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。

本规程适用于国洋双栅场效应应晶体管CX测试仪的检定。

本规程适用于QC-13型场效应晶体管跨导参数测试仪的检定。

行业标准《小型水电站现场效率试验规程》由水利部农村水电及电气化发展局归口上报，主管部门为水利部。

国家标准《硅双栅场效应晶体管 空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚无针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiCMOSFET模块的统一指导性文件，影响了SiCMOSFET模块在电动汽车行业的通用化。本规范针对电动汽车用的SiCMOSFET模块，从性能参数、评测程序等方面对SiCMOSFET模块进行了规范，可以用于电动汽车行业对SiCMOSFET模块的初步评价。

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的内容，并结合了近几年科研人员在SiCMOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiCMOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiCMOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

本规范规定了MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选的试验方法。本规范适用于MOS场效应晶体管（以下简称电阻器）热敏参数快速筛选。

本空白详细规范规定了制订微波低噪声单栅场效应品体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。