标准简介（部分）
标准编号：GB/T 41325-2022
标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
标准状态：现行
发布日期：2022-03-09
实施日期：2022-10-01
标准格式：PDF
内容简介（部分）
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
检测流程
检测优势
1、单位面向科研院所、学校和社会企业及科研单位，面向社会公共服务。
2、实验管理中心下设检测分析中心、科研测试中心、X射线应用中心。
3、面向物理、化学化工、材料、纳米、环境、电子、能源等众多学科。
4、拥有多台精密检测仪器设备。
5、能够从事材料微观结构分析、定性和定量分析、材料性能测定、材料质量综合评定等工作。
6、提供24小时开放服务、网络化的管理。
7、具备向校内外科学研究和品质鉴定提供公正、科研测试数据能力的重要机构。
检测实验室
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